915nm সি-সিরিজ লেজার ডায়োড মডিউল – 80W
915nm সি-সিরিজ লেজার ডায়োড মডিউল - 80W একটি শক্তিশালী লেজার মডিউল যা 80W পর্যন্ত আউটপুট পাওয়ার সহ উচ্চ-মানের লেজার বিম তৈরি করে।এটি একটি কম্প্যাক্ট আকার এবং একটি শক্তিশালী নির্মাণ বৈশিষ্ট্য, যা এটি বিভিন্ন শিল্প, বৈজ্ঞানিক এবং চিকিৎসা অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।এই লেজার মডিউলটি লেজার কাটিং, ঢালাই, খোদাই, চিহ্নিতকরণ এবং আরও অনেক কিছুর মতো অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহারের জন্য আদর্শ।
পণ্য অ্যাপ্লিকেশন: 915nm সি-সিরিজ লেজার ডায়োড মডিউল - 80W বিভিন্ন শিল্প, বৈজ্ঞানিক এবং চিকিৎসা অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত।এটি লেজার কাটিং, ঢালাই, খোদাই, চিহ্নিতকরণ এবং আরও অনেক কিছুতে ব্যবহারের জন্য আদর্শ।
সাধারণ ডিভাইস পারফরম্যান্স (25℃)
মিন | সাধারণ | সর্বোচ্চ | ইউনিট | |
অপটিক্যাল | ||||
CW আউটপুট পাওয়ার | - | 80 | - | W |
কেন্দ্র তরঙ্গদৈর্ঘ্য | - | 915± 10 | - | nm |
বর্ণালী প্রস্থ (শক্তির 90%) | - | < 10.0 | - | nm |
তাপমাত্রার সাথে তরঙ্গদৈর্ঘ্যের স্থানান্তর | - | 0.3 | - | nm/℃ |
বৈদ্যুতিক | ||||
থ্রেশহোল্ড কারেন্ট | - | 0.7 | - | A |
অপারেটিং বর্তমান | - | 11.5 | 12 | A |
অপারেটিং ভোল্টেজ | - | 13.7 | 14.4 | V |
ঢাল দক্ষতা | - | 7.4 | - | ডব্লিউ/এ |
শক্তি রূপান্তর দক্ষতা | 45 | 48 | - | % |
ফাইবার* | ||||
ফাইবার কোর ব্যাস | - | 105 | - | μm |
ফাইবার ক্ল্যাডিং ব্যাস | - | 125 | - | μm |
ফাইবার বাফার ব্যাস | - | 250 | - | μm |
সংখ্যাসূচক অ্যাপারচার | - | 0.22 | - | - |
ফাইবার দৈর্ঘ্য | - | 1-5 | - | m |
ফাইবার সংযোগকারী | - | - | - | - |
* কাস্টমাইজড ফাইবার এবং সংযোগকারী উপলব্ধ।
পরম রেটিং
মিন | সর্বোচ্চ | ইউনিট | |
অপারেটিং তাপমাত্রা | 15 | 35 | ℃ |
অপারেটিং আপেক্ষিক আর্দ্রতা | - | 75 | % |
কুলিং মোড | - | জল শীতল (25℃) | - |
সংগ্রহস্থল তাপমাত্রা | -20 | 80 | ℃ |
স্টোরেজ আপেক্ষিক আর্দ্রতা | - | 90 | % |
লিড সোল্ডারিং তাপমাত্রা (10 সেকেন্ড সর্বোচ্চ) | - | 250 | ℃ |
এই নির্দেশটি শুধুমাত্র রেফারেন্সের জন্য।হ্যানের TCS ক্রমাগত তার পণ্য উন্নত করে, তাই গ্রাহকদের নোটিশ ছাড়াই স্পেসিফিকেশন পরিবর্তন করতে পারে, বিস্তারিত জানার জন্য, অনুগ্রহ করে হ্যানের TCS বিক্রয়ের সাথে যোগাযোগ করুন।@2022 হ্যানের তিয়ানচেং সেমিকন্ডাক্টর কোং, লিমিটেড। সর্বস্বত্ব সংরক্ষিত।